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GM1106型GaN内匹配两级功率放大器芯片，具有超宽带、高线性、高效率、增益平坦等特 点。该芯片在漏极电压28V下可在30~700MHz内提供12.5W的输出功率。该芯片主要用于综 合终端射频前端、手持电台射频前端等领域。
GM1106下载（GM1106产品手册22.5.25.pdf）
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